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一种基于光固化3D打印的SiC陶瓷基涡轮叶片的制造方法

申请号:201410722422.X申请日:2014.12.01国家/省市:中国西安(87)

日期 2015-04-24   

一种SiC纳米线改性的CF/PI复合材料的制备方法

申请号:201410399995.3申请日:2014.08.14国家/省市:中国哈尔滨(93)

日期 2015-03-12   

一种棒状ZrB2增韧ZrB2-SiC超高温陶瓷的制备工艺

申请号:201410467238.5申请日:2014.09.15国家/省市:中国山东(37)

日期 2015-03-02   

热处理对挤压铸造7075铝合金/SiC复合材料机械性能的影响

热处理对挤压铸造7075铝合金/SiC复合材料机械性能的影响
热处理对挤压铸造7075铝合金/SiC复合材料机械性能的影响
热处理对挤压铸造7075铝合金/SiC复合材料机械性能的影响

作者:P.Laxminarayana,A.ChennakesavaReddy1.引言:复合材料由基体相和增强相组成;这两种相构成的材料属性比传统材料要更加优越。多数复合

日期 2015-02-27   

不同衬底温度下脉冲激光沉积制备a-SiC薄膜的结构和光学特性

不同衬底温度下脉冲激光沉积制备a-SiC薄膜的结构和光学特性
不同衬底温度下脉冲激光沉积制备a-SiC薄膜的结构和光学特性
不同衬底温度下脉冲激光沉积制备a-SiC薄膜的结构和光学特性

作者:ParthaP.Dey,AlikaKhare引言纳米结构碳化硅的机械强度高、硬度高、化学惰性好,比传统碳化硅材料要优越许多。因此常用于硅基微机电系统(MEMS),...

日期 2015-02-10   

第三代半导体SiC技术的崛起

第三代半导体SiC技术的崛起
第三代半导体SiC技术的崛起
第三代半导体SiC技术的崛起

第一代半导材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上...

日期 2015-01-17   

SiC/TiB2增强型铝基复合材料

SiC/TiB2增强型铝基复合材料
SiC/TiB2增强型铝基复合材料
SiC/TiB2增强型铝基复合材料

(原作者:JohnyJames.S,Venkatesan.K,Kuppan.P,Ramanujam.R)引言金属基复合材料由于其优越的硬度、耐磨性和承重性等特点而被广泛

日期 2015-01-10   
研磨抛光领域未来之星——β-SiC

研磨抛光领域未来之星——β-SiC

立方碳化硅又名β-Sic,属立方晶系(金刚石晶型)。β-Sic的莫氏硬度为9.25--9.6,与金刚石接近,光洁...

日期 2013-12-07   

意法半导体推出可降低能耗的碳化硅(SiC)二极管

电源开关使用的普通硅二极管因为无法立即关断而导致电源能效损失1%。功率半导体世界领先厂商意法半导体(纽约证券交易所代码:STM),率先推出可在开关操作中降低能耗的碳化硅...

日期 2013-08-05   

Microsemi公司推出工业级碳化硅(SiC)电源模块系列产品

近日,Microsemi公司宣布推出了新一代碳化硅(SiC)标准电源模块,非常适用于大功率开关模式电源供应器、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率...

日期 2013-01-21   

SiC陶瓷非球面磨削工艺实验研究

为了研究磨削工艺参数对SiC材料磨削质量的影响规律,利用DMG铣磨加工中心做了SiC陶瓷平面磨削工艺实验,分析研究了包括主轴转速、磨削深度、进给速度在内的磨削工艺参数对...

日期 2012-11-29   

加快我国SiC功率器件研发与商用步伐

碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型半导体材料,具有诸多潜在的优点:更小的体积、更有效率、完全去除开关损耗、低漏极电流、比标准半导体(纯硅半导体)更高的开关频率以及在标...

日期 2012-11-28   

飞兆发布碳化硅(SiC)技术解决方案

为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求,工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。然而,在可再生能源...

日期 2012-11-22   

氮化硅铁结合SIC复合材料的氧化行为

以工业SIC和硅铁粉为原料,二者的配料组成(质量分数)分别为90%和10%,外加2%的黄糊精为暂时结合剂,采用半干法机压成型后在氮化炉中于1380℃5h氮化烧成制备出氮...

日期 2011-07-12   

SiC颗粒增强铝基复合材料高速铣削工艺研究

1.引言近二十年来,随着科学研究的不断深入,颗粒增强铝基复合材料已经发展成为航空航天及汽车工业常用的一种重要新材料。这种材料具有高比强度和比刚度、低热膨胀系数、低密度、...

日期 2011-06-25   

SiC磨具低温烧结成陶瓷结合剂的研究

SiC磨具低温烧结成陶瓷结合剂的研究
SiC磨具低温烧结成陶瓷结合剂的研究
SiC磨具低温烧结成陶瓷结合剂的研究

摘要通过改善结合剂的耐火度、流动性、强度,试制出用于低温烧成(1000℃以下)的低熔结合剂。该结合剂的强度和制作成的试块的硬度都比较高。ABSTRACTByimprov...

日期 2011-06-23   

SiC多孔陶瓷的气孔率和强度

SiC多孔陶瓷的气孔率和强度
SiC多孔陶瓷的气孔率和强度
SiC多孔陶瓷的气孔率和强度

摘要选用SiC作为骨料,长石和粘土组成的陶瓷结合剂和活性C作为成孔剂,对不同的烧成温度下SiC多孔陶瓷的气孔率和强度进行了研究。温度的提高使SiC多孔陶瓷的显气孔率降低...

日期 2011-06-23   

SiC材料的制备技术及其新产品

SiC材料的制备技术及其新产品
SiC材料的制备技术及其新产品
SiC材料的制备技术及其新产品

1前言SiC是人造强共价健化合物材料,自E.G.Acheson1891年电熔金刚石时被首次发现以来,SiC材料以优异的高温强度、高热导率、高耐磨性和腐蚀性在航空航天、汽...

日期 2011-06-23   

PVA TePla AG 宣布推出用于制造碳化硅晶体的高温系统 SICube

硅晶化系统以及真空和高温系统制造商PVATePlaAG宣布推出用于制造碳化硅(SiC)晶体的高温系统SICube。SiCube中所生产的晶体主要面向高科技市场中的客户。...

日期 2012-10-22   

SiC新型LED助日本铁路实现高效节能

受东日本大地震和少子老龄化等影响,日本铁路行业的业务环境正在发生巨变。本站将分两次介绍铁路技术第一线的情况。首先是为实现节能而采取的举措。日本的铁路行业如今处在剧烈的环...

日期 2012-07-14   
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第六届磨料磨具磨削展览会暨2023金刚石产业大会

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2023年9月20日,时隔四年,期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展,加强国内外企业的交流与合作。

中国人造金刚石诞生60周年

中国人造金刚石诞生60周年

1963年,我国成功研制出第一颗人造金刚石,经过几代人的拼搏奋斗,实现了从无到有、从小到大、从弱到强的华丽蝶变。人造金刚石及其制品在我国航空航天、国防军工、机床机械等领域发挥着愈发重要的作用。不仅如此,随着金刚石技术的选代,金刚石民用领域—培育钻石迎来了自己的大爆发,中国占据了世界培育钻石产量的80%以上,近几年在国际上产生了巨大影响力。