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　　碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型半导体材料，具有诸多潜在的优点：更小的体积、更有效率、完全去除开关损耗、低漏极电流、比标准半导体(纯硅半导体)更高的开关频率以及在标准的125℃结温以上工作的能力。这使得其在更高温度环境以及更小空间的应用中更加自如。

　　受限于SiC单晶材料和外延设备，国内在SiC功率器件方面的实验研究起步较晚，但是我国研究机构一直在跟踪国外SiC宽禁带半导体的发展。在国家973计划和863计划的支持下，先后启动了相关项目研究，初步形成SiC晶体生长(中电46所、山东大学和中科院物理所等)、SiC器件结构设计(电子科技大学和西安电子科技大学等)、SiC器件制造(中电13所、55所和西安电子科技大学等)SiC器件研发队伍。在产品开发上，我国企业联合研究机构也开发出了SiC-MOSFET、SiC-SBD和SiC功率管等。但是，相关产品的性能、工艺、商用等方面，均落后于国际水平。目前，SiC功率器件技术尚基本集中在日本、欧美等公司的手中。

　　单就Si器件和SiC器件的成本来看，虽然目前价格相差仍然比较大，但是如果从SiC器件带来的系统性能提升来看，其带来的总体效益将追平两类不同器件形成的价差，特别是在高压复杂环境中应用，SiC器件的优势表现得更加明显。未来随着SiC功率器件产业化的扩大，价格的进一步降低，其应用空间与市场前景将越来越光明。中国企业有必要加大这方面的研发与商业化，借技术升级之机，拉近与国际先进技术的差距，追上国际巨头的步伐，做大做强我国功率器件产业。