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官方微信摘要 名称碳化硅中形成蓝光发射二极管公开号1044549公开日1990.08.08主分类号H01L33/00分类号H01L33/00申请号89109795.3 分案原申请号申请日1989...
| 名称 | 碳化硅中形成蓝光发射二极管 | ||
| 公开号 | 1044549 | 公开日 | 1990.08.08 |
| 主分类号 | H01L33/00 | 分类号 | H01L33/00 |
| 申请号 | 89109795.3 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1989.12.14 | |
| 颁证日 | 优先权 | [32]1988.12.14[33]US[31]284,293;[32]1989.8.28[33]U | |
| 申请人 | 克里研究公司 | 地址 | 美国北卡罗来纳州 |
| 发明人 | 约翰·Ａ·埃德蒙 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 付康 |
| 摘要 | 本发明包含有在碳化硅中形成的发光二极管，它发射介于约４６５至４７０ｎｍ，或介于约４５５至４６０ｎｍ，或介于约４２４至４２８ｎｍ波长的可见光。该二极管包含具有第一导电型的α型碳化硅的基片和在具有相同导电型的用作为基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延层。一个在第一外延层上的α 型碳化硅的第二外延层，具有与第一层相比相对高的导电型，并与第一外延层形成一个Ｐ－N结。 | ||
豫公网安备41010202002334号