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半导体行业从诞生至今，经过近六十年的发展先后经历了三次明显的换代和发展。其中，第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率。

近年来，随着5G通信、新能源汽车、光伏等行业的快速发展，我国半导体行业的发展迎来关键节点和重大机遇，第三代半导体需求面临剧增的局面。

国内厂商技术优势凸显 优质赛道竞争格局清晰

目前，从第三代半导体材料呈现的竞争格局来看，整体轮廓展现出日益清晰的局面。在国外，以美国的Cree和II-VI公司为主，在国内，有山东天岳，天科合达、河北同光等。

碳化硅衬底材料分半绝缘型和导电型。半绝缘型碳化硅电阻率高，工艺窗口窄，主要应用于雷达和5G通信领域的射频器件。导电型碳化硅电阻率低，主要应用于电力电子的功率器件。

山东天岳自成立以来一直在半导体领域里潜心探索。公开资料显示，山东天岳成立于2010年，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售。目前，公司主要产品覆盖半绝缘型（4英寸为主）和导电型（6英寸为主）碳化硅衬底，已供应至国内碳化硅半导体行业的下游核心客户，同时已被部分国外顶尖的半导体公司使用。

下游应用领域场景广阔 未来行业发展空间巨大

碳化硅由于自身特性，下游应用领域场景和领域十分广泛，这无疑会为身处其中的企业带来增长的机会，并拓展行业发展的宽度和广度。

碳化硅可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。在新能源汽车领域，碳化硅功率器件主要应用在电机驱动系统、车载充电、电源转换系统等多个关键系统中，比如特斯拉的Model 3车型上使用了24个碳化硅MOSFET功率模块的逆变器。随着5G、新能源汽车、光伏发电、航空航天等战略新兴产业迅速发展，以及巨大的潜在市场需求增长、火热的投资环境以及政策驱动，我国SIC产业发展明显进一步迎来战略机遇期。