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第三代、第四代半导体衬底材料如何高效加工？器件散热如何攻克？Carbontech半导体与加工主题论坛，上海见

金刚石半导体产业化在即金刚石半导体产业化在即！生长技术大幅度提升，金刚石从工业级-宝石级-热学级-光学级-电子级，逐步跃迁，同时价格下行，带动应用端的尝试。市场需求驱动...

打破近30年记录！哈工大金刚石半导体器件重大突破

单片集成互补逻辑电路与高速光互联建立在无数金属-半导体接触基础之上，而低电阻且耐久的欧姆接触是制约超宽禁带半导体光电子器件性能与应用的一大因素。近日，哈工大红外薄膜与晶...

会议通知|2024半导体材料与电子元器件发展论坛

新能源车销量不断超预期 磁性元器件需求爆发

据乘联会数据，2022年6月，新能源乘用车国内零售销量达到53.2万辆，月零售销量创新高，同比+131%，环比+48%，新能源车国内零售渗透率27%，同比提升13pct...

郑州大学金刚石光电材料与器件研究团队荣获“全国专业技术人才先进集体”称号

11月3日，记者从河南省人社厅获悉，近日，第六届全国杰出专业技术人才表彰会在京召开，河南师范大学常俊标教授、河南...

金刚石半导体器件的研究进展

摘要:金刚石因其优异的物理化学特性,被视为下一代电力电子器件的终极材料,金刚石半导体器件的制备受到了科研工作者的广泛关注｡文章对金刚石基二极管､开关器件和边缘终止效应等...

补短板，电子元器件产业如何突破瓶颈？

阅读提示眼下，我国已成为全球电子元器件第一大生产国，但无论是技术水平还是产业化能力，与国际先进水平相比都存在较大差距。如何补齐短板，成为工信部和相关行业、企业共同面临的...

工信部：电子元器件产业迎重磅政策支持

工业和信息化部日前召开新闻发布会，记者从会上获悉，工信部近日印发《基础电子元器件产业发展行动计划（2021—2023年）》（下称《行动计划》），将面向智能终端、5G、工...

细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料（禁带宽度＞4.5eV）的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。这类半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及...

国内手机市场不景气出货量暴跌20%：元器件厂商纷纷调整产能

自2017年底开始，全球手机市场就开始陷入出货量同比下降的旋窝，2018年全球智能手机市场依然维持了下降的趋势，且这种趋势至今依然还未缓解，试图通过5G带动手机市场销量...

我国第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子...

第五届单晶金刚石及其电子器件国际研讨会在西安召开

2018年6月9-12日，由陕西省科学技术协会、西安交通大学和单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟联合主办，陕西省真空学会、西安交通大学宽禁带半导体材料与器...

我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索...

集成电路产业新突破 6英寸碳化硅器件生产线在京成功通线

2018年2月1日,北京市高精尖项目——6英寸碳化硅器件生产线在北京世纪金光半导体有限公司成功通线。这是一条具有...

单晶金刚石及电子器件国际论坛会议通知

单晶金刚石及电子器件国际论坛（SCDE2017）将于2017年6月10日-14日在西安举办。本论坛是一个为各层次...

美国研发出金刚石/氮化硼晶体层可用于高功率器件

近日，北卡罗来纳州立大学的材料研究人员已经开发出一种对新技术，将金刚石沉积在立方体氮化硼表面（c-BN），结合成一个新的单晶体结构。“这种材料可以用来制造大...

新技术突破改善碳化硅功率器件

日本东京大学近日研发新型碳化硅绝缘薄膜生长技术，极大地改善了碳化硅功率器件的性能。高性能功率器件常用在高压、大电...

碳化硅电力电子器件的发展现状分析

在过去的十五到二十年中，碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源...

碳化硅功率器件量产带来工业领域革命化

在电能的产生、输送和分配过程中，电力传送效率和使用效率至关重要。当前，电力传输功率器件主要是基于硅材料，由于发展...

中国电子领域重大突破 打破碳化硅器件封锁

摘要：碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。其中，大量用于制作电热元件硅碳棒，并可以用于大功率电子器件制造。根据...