磨料磨具网

申请号: 201580008046.0
申请日: 2015.01.23
国家/省市: 韩国(KR)
公开号: 105980509A
公开日: 2016.09.28
主分类号: C09K 3/14(2006.01)
分类号: C09K 3/14(2006.01); H01L 21/304(2006.01)
申请人: 凯斯科技股份有限公司
发明人: 权璋国; 全燦云; 郑记和; 金廷润; 崔洛炫; 李性表; 崔辅爀
代理人: 张晶 王莹
代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司(11002)
申请人地址: 韩国京畿道
优先权: KR10-2014-0017239

摘要： 本发明关于一种制备研磨液组合物的方法及一种通过该方法制备的研磨液组合物，该方法及该研磨液组合物可减少刮痕及剩余颗粒且维持高抛光速率，该刮痕及剩余颗粒在应用于半导体化学机械抛光(CMP)中被公认为因块状颗粒及聚结颗粒所致的良率降低的一个主要因素。此外，该方法及该研磨液组合物可应用于超大规模整合的半导体程序所需的各种图案且在针对应用的抛光速率、抛光选择比率、表示抛光均匀性的晶圆内非均匀性(WIWNU)及微痕小型化方面达成优良结果。 

主权利要求
1.一种制备研磨液组合物的方法，所述方法包括：通过混合二氧化铈磨料颗粒、分散剂及水制备原料研磨液组合物；将所述原料研磨液组合物中的所述等二氧化铈磨料颗粒粉末化；通过将含有所述等经粉末化二氧化铈磨料颗粒的所述原料研磨液组合物推送至包括水平圆柱形旋转主体的分离装置中且使所述原料研磨液组合物离心而自所述原料研磨液组合物移除块状颗粒及聚结颗粒；及获得移除块状颗粒及聚结颗粒的研磨液组合物。