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投资3.5亿美元,泰国将建立首个碳化硅(SiC)晶圆工厂

投资3.5亿美元,泰国将建立首个碳化硅(SiC)晶圆工厂

据泰国媒体近日报道,泰国计划建立其首家碳化硅(SiC)晶圆工厂,预计将在2027年正式投入运营,标志着泰国在半导...

日期 2024-10-29   

碳化硅SiC衬底抛光新方向

碳化硅SiC衬底抛光新方向
碳化硅SiC衬底抛光新方向
碳化硅SiC衬底抛光新方向

碳化硅作为一种新兴的半导体材料,具有导热率高、宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等特性,使得其成为目前研发比较集中的半导体材料之一。因为这些性能,碳化硅可以广泛地应用于衬...

日期 2024-08-05   

纳米金刚石抛光液:SiC超精抛光的“白月光”

纳米金刚石抛光液:SiC超精抛光的“白月光”
纳米金刚石抛光液:SiC超精抛光的“白月光”
纳米金刚石抛光液:SiC超精抛光的“白月光”

SiC作为衬底材料,单晶SiC的表面粗糙度直接影响其在电子器元件中工作的效果与性能。为确保单晶SiC在半导体、衬底材料中的应用的稳定性,其表面粗糙度往往要达到纳米级或以...

日期 2024-06-27   

砂轮参数对SiC减薄工艺的影响

0引言SiC器件正面工艺完成后,需要用到减薄工艺对衬底进行减薄加工,降低器件的导通电阻。尤其对于600-1200V的中低压SiC器件,衬底电阻带来的损耗影响了SiC器件...

日期 2024-05-30   

SiC研磨行业深度调研

SiC研磨行业深度调研
SiC研磨行业深度调研
SiC研磨行业深度调研

Part01三代半导体市场1.半导体材料发展历程硅基材料是目前电力电子领域应用最为广泛的半导体材料,也是目前主流逻辑芯片和功率器件的基础。第一代元素半导体,主要包括以硅...

日期 2024-05-29   
SiC 晶片的切片和表面精加工解决方案

SiC 晶片的切片和表面精加工解决方案

如今,碳化硅用于要求苛刻的半导体应用,如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性,基于SiC的器件...

日期 2023-06-16   
DISCO推出新型自动研磨机,可加工8英寸的硅和SiC晶圆

DISCO推出新型自动研磨机,可加工8英寸的硅和SiC晶圆

近日,DISCO公司开发了DFG8541,这是一款全自动研磨机,可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆。它已在...

日期 2023-01-13   

这项抛光技术获奖,可用于SiC和GaN

这项抛光技术获奖,可用于SiC和GaN
这项抛光技术获奖,可用于SiC和GaN
这项抛光技术获奖,可用于SiC和GaN

在“SEMICONJapan2022”(2022年12月14日至16日,东京国际展示场)上,首次举办了“学术奖”,以表彰有前途的大学/研究生院半导体研究。最高奖颁发给大...

日期 2023-01-09   
通化市碳化硅(SiC)超细粉体对外合作项目

通化市碳化硅(SiC)超细粉体对外合作项目

项目简介1.1项目背景1.1.1产品简介碳化硅超细粉体是一种平均粒径小于1μm(微米),SiC纯度大于99%,游...

日期 2020-01-20   
碳化硅(SiC)增利效应拉高 市场竞逐日趋白热化

碳化硅(SiC)增利效应拉高 市场竞逐日趋白热化

多家供应商正在推出下一波基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半导体浪潮,从而为在市场上与传统的硅基器件进...

日期 2019-11-08   

SiC功率半导体市场加速攀升 汽车产业成主要推手

根据市调机构YoleDeveloppement调查指出,全球碳化硅(SiC)功率半导体市场将从2017年的3.02亿美元,快速成长至2023年的13.99亿美元,201...

日期 2018-07-13   

我国半导体大直径SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

近日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。中国...

日期 2018-06-08   

一种通过高速压制制备高体积分数SiC颗粒增强Al基复合材料的方法

申请号:201710899306.9申请日:2017.09.28国家/省市:中国安徽(34)公开号:107641727A公开日:2018.01.30主分类号:C22C1...

日期 2018-02-06   

一种ZrB2‑SiC陶瓷材料注浆成型烧结方法

申请号:201720079346.4申请日:2017.01.21国家/省市:中国宁夏(64)主分类号:B03C1/02(2006.01)授权公告号:206474279U...

日期 2017-09-18   
一种ZrC陶瓷材料表面ZrB2‑SiC复合涂层的制备方法

一种ZrC陶瓷材料表面ZrB2‑SiC复合涂层的制备方法

申请号:201710293168.X申请日:2017.04.28国家/省市:中国哈尔滨(93)公开号:10705...

日期 2017-08-31   

一种在锆铝碳/碳化硅复合材料表面制备ZrB2/SiC涂层的方法

申请号:201710245487.3申请日:2017.04.14国家/省市:中国河南(41)公开号:107056303A公开日:2017.08.18主分类号:C04B3...

日期 2017-08-28   

铝基碳化硼复合材料的SiC磨料辅助电化学加工

铝基碳化硼复合材料的SiC磨料辅助电化学加工
铝基碳化硼复合材料的SiC磨料辅助电化学加工
铝基碳化硼复合材料的SiC磨料辅助电化学加工

作者:M.Sankar,M.Sankar,K.Rajkumar,S.Santosh摘要:新型工业产业对轻量级材料的需求促使了铝基复合材料的研发和制备。在诸多AMMCs中...

日期 2017-02-24   
热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法

热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法

申请号:201610190733.5申请人:西北工业大学发明人:刘永胜赵志峰游蔷薇赵明晞张青成来飞摘要:本发明涉...

日期 2016-08-09   

MOCVD法在Si衬底上沉积用于NSOM设备的β-SiC薄膜

MOCVD法在Si衬底上沉积用于NSOM设备的β-SiC薄膜
MOCVD法在Si衬底上沉积用于NSOM设备的β-SiC薄膜
MOCVD法在Si衬底上沉积用于NSOM设备的β-SiC薄膜

作者:SangHunNam,MyoungHwaKim,JinHyoBoo摘要:利用金属有机化学气相沉积法在真空(2.0×10¬-6托)和不同温度范围(7

日期 2016-04-14   

一种用于C/SiC复合材料的高温抗氧化涂层材料

申请号:201410597033.9申请日:2014.10.31国家/省市:中国北京(11)

日期 2015-05-04   
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第六届磨料磨具磨削展览会暨2023金刚石产业大会

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2023年9月20日,时隔四年,期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展,加强国内外企业的交流与合作。

中国人造金刚石诞生60周年

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1963年,我国成功研制出第一颗人造金刚石,经过几代人的拼搏奋斗,实现了从无到有、从小到大、从弱到强的华丽蝶变。人造金刚石及其制品在我国航空航天、国防军工、机床机械等领域发挥着愈发重要的作用。不仅如此,随着金刚石技术的选代,金刚石民用领域—培育钻石迎来了自己的大爆发,中国占据了世界培育钻石产量的80%以上,近几年在国际上产生了巨大影响力。