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       为什么只有在晶圆背面减薄时会使用griniding工艺？在芯片制程中并未看到该工艺，同样有减薄作用，为什么在芯片制程中用的是cmp？

       Grinding与cmp的原理？
       Grinding，机械磨削，是一种单纯用机械力去除晶圆表面材料的工艺。一般不会用到研磨液，只是用超纯水进行清洗或带走产生的碎屑和热量。
       而cmp是化学机械研磨，是化学反应与机械力结合去除材料的工艺。目标材料先和cmp slurry中的氧化剂，酸，碱等发生微反应，在在抛光头，抛光垫，slurry中的磨料的共同作用下，通过机械力将微反应生成的反应物去除，达到减薄，抛光的目的。
       为什么一般grinding只能用在晶圆减薄而不用在芯片的制造？
       1，Grinding材料去除速率很高，减薄工艺通常需要去除数百微米的材料，用cmp来减薄速率慢且晶圆背面没有必要保持那么小的粗糙度。
       2，Grinding加工成本低，不需要slurry，机台结构相对来说简单。
但在芯片制造过程中，芯片的每一层都需要极高的平整度和粗糙度，而单纯的机械磨削会产生大量的缺陷，会刮伤图形，且粗糙度过大，因此不适合用在芯片制造中。