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申请号: 201710725687.9

申请日: 2017.08.22

国家/省市:中国沈阳(89)

公开号: 107686369A

公开日: 2018.02.13

主分类号:C04B 38/02(2006.01)

分类号: C04B 38/02(2006.01); C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01); C04B 35/65(2006.01); C04B 35/634(2006.01); C04B 35/63(2006.01)

申请人: 东北大学

发明人: 马北越; 张亚然; 李世明; 任鑫明; 张博文; 于景坤

代理人: 梅洪玉

代理机构:大连理工大学专利中心(21200)

申请人地址:辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号

摘要：一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备碳化硅多孔陶瓷的方法，属于二次资源利用的技术领域。具体制备方法为：先将晶体硅碳化硅切割废料进行预处理，除去聚乙二醇(PEG)和水，其次，根据晶体硅碳化硅切割废料的组分掺入适量的碳粉；然后，以预处理后的切割废料为原料，加入酚醛树脂作为粘结剂，铵盐作为造孔剂，碳粉为形成SiC的碳源，将混合料手磨混均；最后，在50～300MPa下干压成型，于保护气氛下在1200～1600℃下烧结2～8h制得碳化硅多孔陶瓷。该方法实现了晶体硅的碳化硅切割废料的高效增值材料化利用，不仅变废为宝，而且减少了环境污染。该方法操作简单易行，便于工业化生产。 

主权利要求

一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于，按以下步骤进行：步骤1：原料预处理(1)将晶体硅碳化硅切割废料进行煅烧、粉碎过筛处理，得到去除聚乙二醇(PEG)和水的切割废料；(2)根据晶体硅碳化硅切割废料的组分配比，配置碳粉；碳粉的使用量高于晶体硅碳化硅切割废料与碳粉反应的消耗量；步骤2：混料：按照制备出的碳化硅多孔陶瓷性能要求，配置相关造孔剂，使之与原料混合均匀；造孔剂添加量为5％～60％；步骤3：制样和烧结(1)将混匀的粉料干压成型；成型压力为50～300MPa；(2)将成型后试样充分干燥后，置于高温炉中，在保护气氛下烧结并保温一定时间；烧结温度为1200℃～1600℃，烧结保温时间为2～8h。