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申请号: 201710471111.4

申请日: 2017.06.20

国家/省市:中国西安(87)

公开号: 107337453A

公开日: 2017.11.10

主分类号:C04B 35/565(2006.01)

分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 38/00(2006.01); C04B 35/64(2006.01)

申请人: 西安交通大学

发明人: 王波; 赵杉; 丁克; 邓宇宸; 张南龙; 侯宝强; 杨建锋

代理人: 闵岳峰

代理机构:西安通大专利代理有限责任公司(61200)

申请人地址:陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

摘要： 本发明公开了一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，包括以下步骤：1)将SiO粉末置于坩埚底部，按照质量百分比将70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的纳米炭黑的混合粉末模压成型后形成生坯，将生坯置于坩埚中部，再将坩埚放在多功能烧结炉中，通入氩气，在1650℃～1800℃保温1～3小时进行气固反应，获得预烧结体；2)将预烧结体放入感应烧结炉中，在氩气气氛下升温至1900℃～2100℃重结晶处理1～3小时即可获得多孔SiC陶瓷。本发明获得的碳化硅多孔陶瓷可广泛应用于柴油车尾气颗粒物过滤器或催化剂载体等领域。

主权利要求

1.一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于，包括下述步骤：1)按照质量百分比将70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的纳米炭黑的混合粉末模压成型后形成生坯，将SiO粉末置于坩埚底部，将生坯置于坩埚中部，再将坩埚放在多功能烧结炉中，通入氩气，在1650℃～1800℃保温1～3小时进行气固反应，获得预烧结体，其中SiO和纳米炭黑的摩尔比为1:1；2)将预烧结体放入感应烧结炉中，在氩气气氛下升温至1900℃～2100℃重结晶处理1～3小时即获得多孔SiC陶瓷。