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申请号: 201610453397.9
申请日: 2016.06.21
国家/省市: 中国上海(31)
公开号: 106083061A
公开日: 2016.11.09
主分类号: C04B 35/565(2006.01)
分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/626(2006.01); C04B 35/64(2006.01); C04B 35/65(2006.01); C04B 41/91(2006.01); B33Y 10/00(2015.01); B33Y 70/00(2015.01); B33Y 80/00(2015.01)
申请人: 上海工程技术大学
发明人: 何金玲; 林文松; 刘浩
代理人: 王小荣
代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司(31225)
申请人地址: 上海市松江区龙腾路333号

摘要： 本发明涉及一种激光烧结快速成型碳化硅陶瓷的制备方法，该方法具体包括以下步骤：(1)制备激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末；(2)采用基于激光选择性烧结的3D打印技术将激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末制成粗坯；(3)将粗坯埋在硅粉与氮化硼粉末组成的混合粉料中，在真空环境中进行反应烧结，得到烧结坯；(4)将烧结坯浸泡在碱性溶液中，以脱除烧结坯表面多余的金属硅，即得到所述的激光烧结快速成型碳化硅陶瓷。与现有技术相比，本发明不需要模具，工艺简单，条件易于控制，可制造各种形状的碳化硅零件，在小批量制造、特种零件制造上有独特的优越性。 

主权利要求
1.一种激光烧结快速成型碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：(1)制备激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末；(2)采用基于激光选择性烧结的3D打印技术将激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末制成粗坯；(3)将粗坯埋在硅粉与氮化硼粉末组成的混合粉料中，在真空环境中进行反应烧结，得到烧结坯；(4)将烧结坯浸泡在碱性溶液中，以脱除烧结坯表面多余的金属硅，即得到所述的激光烧结快速成型碳化硅陶瓷。