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       申请号: 201510369345.9
       申请日: 2015.06.29
       国家/省市: 中国济南(88)
       公开号: 104926313A
       公开日: 2015.09.23
       主分类号: C04B 35/573(2006.01)
       分类号: C04B 35/573(2006.01); C04B 35/65(2006.01)
       申请人: 山东大学
       发明人: 张玉军; 李其松; 龚红宇; 孙海滨; 张衍双
       代理人: 张宏松
       代理机构: 37219
       申请人地址: 山东省济南市历下区经十路17923号

       摘要： 本发明涉及一种高热导率反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法，它由以下质量百分比的原料组成，碳化硅50-90wt.％，石墨烯0.5-12.5wt.％，炭粉5-15wt.％，表面活性剂1-3wt.％，分散剂0.5-2.5wt.％，粘结剂0.3-1.5wt.％；上述原料经混合、成型、真空条件下于温度1650-1800℃反应烧结8～12小时，制得。本发明制得的SiC陶瓷材料硬度高、热膨胀系数低、热导率高，材料性能更加均匀、一致，提高了材料的服役可靠性。

       主权利要求 1.一种高热导率反应烧结SiC陶瓷材料，由以下质量百分比的原料组成，碳化硅50-90wt.％，石墨烯0.5-12.5wt.％，炭粉5-15wt.％，表面活性剂1-3wt.％，分散剂0.5-2.5wt.％，粘结剂0.3-1.5wt.％；各组分质量百分比之和为100％，上述原料经混合、成型、真空条件下于温度1650-1800℃反应烧结8～12小时，制得。