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碳化硅单晶的制造方法

关键词碳化硅单晶 , 制造方法|2011-06-23 15:11:35|行业专利|来源中国磨料磨具网

摘要名称碳化硅单晶的制造方法公开号CN101120124公开日2008.02.06主分类号C30B29/36(2006.01)I分类号C30B29/36(2006.01)I;C23C1...

名称	碳化硅单晶的制造方法
公开号	CN101120124	公开日	2008.02.06
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	分类号	C30B29/36(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/42(
申请号	CN200680004816.5
分案原申请号		申请日	2006.05.23
颁证日		优先权	2005.6.7 JP 167326/2005
申请人	HOYA株式会社	地址	日本东京都
发明人	河原孝光;八木邦明;八田直记;长泽弘幸	国际申请	2006-05-23 PCT/JP2006/310225
国际公布	2006-12-14 WO2006/132082 日	进入国家日期	2007.08.14
专利代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张平元;赵仁临
摘要	本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，在使碳化硅单晶在单晶基板上外延生长时，能够减少在碳化硅单晶内产生的表面缺陷。该方法是在单晶基板(1)的表面使碳化硅单晶层外延生长的碳化硅单晶的制造方法，其中，在上述单晶基板(1)的表面，形成在与该基板表面(1)基本平行的一个方向上延伸的多个起伏(2)，且该起伏(2)在上述单晶基板的厚度方向上波动，并且，设置该起伏(2)，使得由伴随着碳化硅单晶的外延生长而传播的反相区域边界面和/或双晶带形成的表面缺陷彼此会合。

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