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       援引俄罗斯塔斯社最新消息，俄罗斯自研的首台光刻机已经制造完成，目前正在进行测试。

       俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（Vasily·Shpak）告诉媒体：“我们制造并组装了第一台国产光刻机，作为泽廖诺格勒（莫斯科卫星城）技术生产线的一部分，该设备可确保生产350nm的芯片！”

       尽管350nm甚至比现阶段全球主流成熟制程工艺都落后不少，但在俄罗斯看来，它仍然能在汽车、能源和电信等诸多行业中发挥不小的应用价值。

       值得一提的是，据说俄罗斯的这台光刻机成本只需要500万卢布（当前约合人民币 40万），要知道目前ASML的同类光刻机动辄几千万甚至上亿人民币。如果该消息属实的话，表明俄罗斯在自主发展半导体技术的道路上取得了巨大突破。

       俄罗斯将生产光刻机：2024年350nm，2026年65nm

       此前，俄罗斯政府启动了一项国家计划，计划到2030年自研出28nm工艺的芯片，对尽可能多的外国芯片进行逆向工程，并培养本土人才从事国产芯片替代工作。

       俄罗斯最先进的晶圆厂只能生产采用65nm制造技术的芯片，而且用的都是欧美的设备。俄罗斯科学院微结构物理研究所副所长尼古拉·奇卡洛表示，作为光刻技术的知名企业，ASML已研发其EUV光刻系统近20年，该技术已被证明非常复杂。

       而且，晶圆设备不仅限于光刻机。还需要有其他类型的设备用于执行蚀刻、沉积、光刻胶去除、计量以及检查操作，此外还有一些不太先进的机器，例如超纯空气和水发生器，这些机器都是来自于西方市场。也就是说，即使俄罗斯成功制造出光刻机，仍需要数百台设备来建造一座现代化晶圆厂，而目前西方已经彻底切断了对俄罗斯的供应。

       但无论如何，俄罗斯为了实现半导体产业自主可控，首先加大了对光刻机领域的投入和支持，尽管目前350nm的工艺并不先进，但对于战时的俄罗斯已经非常重要了，特别在意义上。

       其实，2023年瓦西里·什帕克在接受俄新社采访时就表示，俄罗斯将在2024年生产350nm国产光刻机，2026年研制出130nm光刻机。

       “很明显，如果不走完全程，就不可能一次性制造出薄拓扑结构的设备，” 瓦西里·什帕克表示：“目前世界上只有两家公司拥有这种光刻技术：荷兰的ASML和日本的尼康，没有其他公司能做到这一点。”不过现在我们已经踏上了这条道路，不是在孤军奋战，这场竞赛已经开始，他补充道。

       瓦西里·什帕克认为，所有其他微电子器件，包括微控制器、电力电子器件、电信电路、汽车电子以及许多其他器件，因为技术和成本的原因，将在未来许多年内对 65~350nm的工艺保持需求，而且占市场的60%。

       俄罗斯工业和贸易部并不觉得没有掌握更先进的工艺有什么问题，他们认为≤45nm的工艺只对处理器和存储器有意义，而这些只占10%~15%。这台光刻机的问世不仅可以使其一定程度摆脱西方制裁，更给予了俄罗斯国内极大的信心，未来将大幅减少对外依赖。
       2016年首次研发成功以来，ASML已向全球客户卖出了两百多台EUV设备，其中台积电最多，而且该设备需要频繁维护，如果没有ASML的备件，它们很快就会停止工作。