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　　半导体制造商ROHM株式会社已正式展开碳化硅模块(额定功率1200V/100A)量产，此模块系完全利用碳化硅(SiC：Silicon Carbide)来架构内建的功率半导体组件。
　　ROHM研发出独创的「缺陷抑制」技术及筛选法，可确保产品的可靠性。此外，还同时发展出碳化硅所特有的1700℃高温制程之劣化抑制技术等，领先全球成功设立一套全碳化硅功率模块量产体制。
　　该产品以最先进技术将 SiC- SBD 与 SiC- MOSFET 等2种组件进行搭配，不但能将功率转换时的损耗降低至传统的硅 IGBT 模块的85%，而且达到100kHz以上的高频动作，动作速度高于IGBT模块10倍以上，此外，额定电流为100A，切换速度快而且损耗低，因此能用来取代额定电流为200~400A的硅IGBT模块。
　　除此之外，经由设计与制程的改善，ROHM还成功研发出散热性绝佳的模块。用来取代传统的400A级硅 IGBT 模块后，即可减少约50%的体积。由于损耗降低发热也因此更小，因此亦可使用体积较小的外接冷却装置，能够有效地协助整体装置实现小型化的目标。
　　该产品可用来嵌入工业装置或太阳能电池中负责功率转换的变频器或转换器中，与一般的硅制IGBT模块相较之下，该产品不但具有多项优点，包括降低切换损耗达85%、取代传统400A级Si-IGBT模块，并减少50%的体积。损耗低，发热量也少、可以使用体积较小的冷却装置，因此能让整台装置的体积更小。同时，它还能节省全球能源及资源等，对地球环境保护带来极大的贡献。
　　ROHM未来除了将进一步加强碳化硅(SiC)组件/模块系列产品以达成高耐压、大电流等目标外，同时并将致力于推动碳化硅槽沟式(Trench) MOSFET及SiC-IPM (智能功率模块)等碳化硅(SiC)相关系列产品之扩充及量产。
　　该产品将自3月下旬起于ROHM总公司工厂(日本京都市)展开制品量产与出货。