摘要 1.成膜速率提高(电离率高,放电电流大)。2.基体温升降低。3.磁控溅射的空间局限于靶与基体之间,粒子到达基体的准确度高,不需要的部位没有。因此真空容器容易清洗,操作方便。4.膜层...
1. 成膜速率提高(电离率高,放电电流大)。 2. 基体温升降低。 3. 磁控溅射的空间局限于靶与基体之间,粒子到达基体的准确度高,不需要的部位没有。因此真空容器容易清洗,操作方便。 4. 膜层致密,并且与基体结合力强。这是因为磁控溅射产生的靶原子的能量高。 |
1. 成膜速率提高(电离率高,放电电流大)。 2. 基体温升降低。 3. 磁控溅射的空间局限于靶与基体之间,粒子到达基体的准确度高,不需要的部位没有。因此真空容器容易清洗,操作方便。 4. 膜层致密,并且与基体结合力强。这是因为磁控溅射产生的靶原子的能量高。 |
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