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申请号: 201710607749.6

申请日: 2017.07.24

国家/省市:中国广东(44)

公开号: 107500768A

公开日: 2017.12.22

主分类号:C04B 35/563(2006.01)

分类号: C04B 35/563(2006.01); C04B 35/622(2006.01); G21C 7/24(2006.01); G21F 1/02(2006.01)

申请人: 东莞中子科学中心

发明人: 柯于斌; 曹磊; 陶举洲; 杜慧玲

代理人: 郭燕 彭家恩

代理机构:深圳鼎合诚知识产权代理有限公司(44281)

申请人地址:广东省东莞市松山湖科技产业园区科学园生产力大厦

摘要： 本申请公开了一种碳化硼陶瓷的制备方法、碳化硼陶瓷及其应用。本申请的碳化硼陶瓷制备方法包括(1)将碳化硼粉和硅酸盐玻璃粉混匀，制成混合料；(2)在混合料中加粘结剂溶液，造粒；(3)将造粒颗粒倒入模具，5‑30MPa压制素坯；(4)素坯烘干，惰性气氛、还原性气氛或真空下低于1000℃烧结，制成碳化硼陶瓷。本申请的方法，实现了碳化硼陶瓷低温常压烧结，能耗低，简单易操作，成本低；硅酸盐玻璃粉原料丰富、价格低、易获得，进一步降低了成本；制备的碳化硼陶瓷不含氢，可大幅降低中子散射背底，特别适于制作探测器周围的中子吸收和屏蔽器件。本申请的方法为大批量规模化生产中子屏蔽效果好的碳化硼陶瓷材料奠定了基础。

主权利要求

一种碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，(1)将碳化硼粉和硅酸盐玻璃粉通过球磨或超声分散混合均匀，制成混合料；(2)在步骤(1)的混合料中加入粘结剂溶液，造粒；(3)将步骤(2)制备的颗粒倒入模具中，在5-30MPa的压力下压制成素坯；(4)将步骤(3)的素坯烘干，然后在惰性气氛、还原性气氛或真空条件下烧结，制成碳化硼陶瓷，所述烧结的温度低于1000℃。