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申请号: 201710803582.0

申请日: 2017.09.08

国家/省市:中国武汉(83)

公开号: 107513698A

公开日: 2017.12.26

主分类号:C23C 16/32(2006.01)

分类号: C23C 16/32(2006.01); C23C 16/48(2006.01)

申请人: 武汉理工大学

发明人: 涂溶; 徐青芳; 章嵩; 张联盟

代理人: 崔友明 李欣荣

代理机构:湖北武汉永嘉专利代理有限公司(42102)

申请人地址:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

摘要： 本发明公开了一种立方碳化硅涂层的制备方法，包括如下步骤：(1)将石墨基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空，使压强降10Pa以下；(2)通入H2作为稀释气体；(3)打开激光照射石墨基板表面，通过调节激光功率，使石墨快速升温；(4)通入含有前驱体六甲基二硅烷(HMDS)的载流气并调节反应室真空度至2500～4500Pa，保持10～30分钟；(5)关闭激光、HMDS及稀释气，抽真空并自然冷却至室温。本发明沉积所得薄膜为立方碳化硅(β‑SiC)薄膜，且不同的沉积条件下，可形成不同微观形貌的β‑SiC薄膜，可实现石墨材料表面润湿性的可控调节，适合推广应用。

主权利要求

1.一种立方碳化硅涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将石墨基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空使压强降到10Pa以下；2)通入稀释气；3)打开激光照射石墨基板表面，调节激光功率，使石墨基板升温至沉积温度并保温；4)打开含HMDS的载流气；5)调节反应室内压强至沉积压强，保持进行沉积反应；6)关闭激光、含有HMDS的载流气和稀释气体，抽真空至1～10Pa，并自然冷却至室温，即在石墨基板上沉积得立方碳化硅涂层。