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一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法

关键词 氮化铝 , 碳化硅 , 陶瓷粉体|2015-09-30 09:22:38|行业专利|来源 中国磨料磨具网
摘要 申请号:201510323372.2申请日:2015.06.12国家/省市:中国上海(31)
       申请号: 201510323372.2
       申请日: 2015.06.12
       国家/省市: 中国上海(31)
       公开号: 104926310A
       公开日: 2015.09.23
       主分类号: C04B 35/565(2006.01)
       分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/63(2006.01)
       申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
       发明人: 刘桂玲; 苏碧哲; 黄政仁; 刘学建; 陈忠明; 杨勇; 姚秀敏
       代理人: 曹芳玲 郑优丽
       代理机构: 31261
       申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号

       摘要: 本发明涉及一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法,包括:1)将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛、并干压成型得到陶瓷素坯;2)将陶瓷素坯在真空条件、600℃~1050℃下加热裂解;3)将热裂解后的陶瓷素坯在氮气气氛、1500℃~1750℃下进行碳热还原反应;4)将碳热还原反应后的陶瓷素坯研磨过筛,即得到氮化铝和碳改性的碳化硅陶瓷粉体。采用本发明方法制备的氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体中,氮化铝固溶进入碳化硅晶格,后期烧结实验结果表明粉体烧结活性得到了提高。

       主权利要求 1.一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体的制备方法,其特征在于,包括:1)将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛、并干压成型得到陶瓷素坯;2)将陶瓷素坯在真空条件、600℃~1050℃下加热裂解;3)将热裂解后的陶瓷素坯在氮气气氛、1500℃~1750℃下进行碳热还原反应;4)将碳热还原反应后的陶瓷素坯研磨过筛,即得到氮化铝和碳改性的碳化硅陶瓷粉体。
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