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       申请号: 201410491594.0
       申请日: 2014.09.23
       国家/省市: 中国武汉(83)
       公开号: 104261868A
       公开日: 2015.01.07
       主分类号: C04B 38/06(2006.01)
       分类号: C04B 38/06(2006.01); C04B 35/584(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
       申请人: 武汉工程大学

       发明人: 徐慢; 沈凡; 季家友; 陈常连; 石和彬; 曹宏; 薛俊; 王树林; 安子博; 赵静; 吴庭; 王亮; 祝云
       代理人: 崔友明
       代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司(42102)
       申请人地址: 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

       摘要： 本发明涉及氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)素胚的成型；2)膜层的涂覆；3)烧结。本发明的有益效果在于：本发明利用氮化硅结合碳化硅陶瓷耐高温、抗氧化、抗腐蚀、抗热震性能好的特点，制备具有高连通孔隙结构的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜材料，在高温使用环境，比如高温气固分离、高温液固分离、高温催化载体等方面具有广阔的应用前景。

       主权利要求 1.一种氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)素胚的成型A1、原材料选取：金属硅粉、碳化硅粉、低密度聚乙烯、邻苯二甲酸二丁酯、氧化钇按质量比100:10-30:5-10：0.1-0.4：3-4选取备用；B1、原材料混合：按比例选取的原材料在120℃的温度下混合形成均匀的混合物；C1、素胚的成型：将步骤B1所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚；2)膜层的涂覆A2、膜层浆液制备：水、金属硅粉、碳化硅粉、纤维素醚、氧化钇按质量比100:30-40:15-20：0.1-0.5：4-5混合均匀，制得膜层浆液；B2、膜层的涂覆：将膜层浆液注入按步骤1)制备的多通道管状素胚的通道中，流动20-30s，制得碳化硅胚体；3)烧结A3、干燥：将步骤2)制备的碳化硅胚体置于的烘箱中干燥，再置于烘箱中干燥；B3、烧结：将通过步骤A3干燥后的试件置于空气气氛炉中保温，再置于氮气气氛炉内保温，最后随炉冷却至室温，制得氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜材料。