一种利用多晶硅、单晶硅切割废料制备氮化硅/碳化硅的方法_专利_磨料磨具网

一种利用多晶硅、单晶硅切割废料制备氮化硅/碳化硅的方法

关键词多晶硅 , 单晶硅 , 切割废料 , 氮化硅 , 碳化硅|2014-08-16 09:37:44|行业专利|来源中国磨料磨具网

摘要申请号：201410223555.2申请日：2014-05-26摘要：本发明涉及一种利用多晶硅或单晶硅切割肥料制备氮化硅/碳化硅复合陶瓷的方法。该方法利用

申请号：201410223555.2 申请日：2014-05-26

摘要：本发明涉及一种利用多晶硅或单晶硅切割肥料制备氮化硅/碳化硅复合陶瓷的方法。该方法利用多晶硅或单晶硅切割废料为原料，添加氧化物、Fe粉等的一种或几种，通过高温自蔓延方法制备具有多孔结构的氮化硅/碳化硅复合陶瓷。该发明可以以低廉的成本来处理多晶硅、单晶硅的切割废料。

申请人：江西科技师范大学
地址： 330013 江西省南昌市昌北经济开发区枫林大道605号
发明(设计)人：李文魁陈飞洋陈智琴罗珊珊
主分类号： C01B31/36(2006.01)I
分类号： C01B31/36(2006.01)I C01B21/068(2006.01)I

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