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一种利用多晶硅、单晶硅切割废料制备氮化硅/碳化硅的方法

关键词 多晶硅 , 单晶硅 , 切割废料 , 氮化硅 , 碳化硅|2014-08-16 09:37:44|行业专利|来源 中国磨料磨具网
摘要 申请号:201410223555.2申请日:2014-05-26摘要:本发明涉及一种利用多晶硅或单晶硅切割肥料制备氮化硅/碳化硅复合陶瓷的方法。该方法利用
       申请号:201410223555.2     申请日:2014-05-26

       摘要:本发明涉及一种利用多晶硅单晶硅切割肥料制备氮化硅/碳化硅复合陶瓷的方法。该方法利用多晶硅或单晶硅切割废料为原料,添加氧化物、Fe粉等的一种或几种,通过高温自蔓延方法制备具有多孔结构的氮化硅/碳化硅复合陶瓷。该发明可以以低廉的成本来处理多晶硅、单晶硅的切割废料。

       申请人: 江西科技师范大学
       地址: 330013 江西省南昌市昌北经济开发区枫林大道605号
       发明(设计)人: 李文魁 陈飞洋 陈智琴 罗珊珊
       主分类号: C01B31/36(2006.01)I
       分类号: C01B31/36(2006.01)I C01B21/068(2006.01)I
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