摘要:本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,包括以下步骤:首先将多孔硅胶放入管式炉中,以50~300ml/min的速率通入纯度80-98%的甲烷,以5-30℃/min的升温速率逐步升温至1000~1500℃,并保持0.5-2hr,炉口出口点火,裂解的甲烷气体在管式炉中连续通过硅胶,发生原位反应,将硅胶转化为碳化硅多孔陶瓷,并遗传其孔隙结构。该方法工艺简单,可连续生产,并适用于工业规模。
申请人: 中原工学院
地址: 451191 河南省郑州市新郑双湖经济技术开发区淮河路1号
发明(设计)人: 张小立
主分类号: C04B38/00(2006.01)I
分类号: C04B38/00(2006.01)I C04B35/565(2006.01)I C04B35/622(2006.01)I