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单晶金刚石的层流等离子体的制备方法

关键词 单晶 , 金刚石|2012-03-06 15:09:26|行业专利|来源 中国磨料磨具网
摘要 申请人:中中国科学院研究生院专利号:CN102230216A一种单晶金刚石的层流等离子体的制备方法,属于单晶金刚石制备技术领域。通过调控等离子体的流体特性,构建出稳定的层流等离子体...

  申请人:中中国科学院研究生院

  专利号:CN102230216A

  一种单晶金刚石的层流等离子体的制备方法,属于单晶金刚石制备技术领域。通过调控等离子体的流体特性,构建出稳定的层流等离子体边界层,使单晶金刚石能够在大尺寸衬底上进行稳定生长。从而避免当前直流等离子体沉积单晶金刚石的多晶化和小尺寸衬底的问题。优点在于提供了一条适合采用大尺寸籽晶、稳定制备单晶金刚石的途径,使单晶金刚石稳定生长区尺寸在等离子体运动轴线方向达到7cm,并有效抑制了单晶生长表面的多晶化。
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