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　　中科院物理研究所与北京天科合达蓝光半导体有限公司经过8个月的努力，合作研发出了具有自主知识产权的第二代碳化硅晶体生长炉，进一步优化了具有自主知识产权的碳化硅晶体生长工艺，使晶体质量的稳定性和产率得到提高。同时，在国内首次建立了一条完整的从切割、研磨到化学机械抛光(CMP)的碳化硅晶片中试生产线，建成了百级超净室，开发出碳化硅晶片表面处理，清洗、封装等工艺技术，使产品达到了即开即用(Epi-ready)的水准。日前，第一批中试批量生产的6H和4H晶型碳化硅晶片产品已经下线并发往国内用户。
　　碳化硅晶片是第三代半导体关键基础材料，在微电子、电力电子和半导体照明器件等领域有着重要的应用和广阔的市场前景。此前，碳化硅晶体生长及加工技术被国外少数公司垄断，国内所需的碳化硅晶片几乎全部依赖进口。中科院物理所自1999年开展碳化硅晶体生长研究工作，在攻克晶体生长关键技术并获得高质量晶片之后，率先在国内开展了碳化硅晶体生长技术的产业化工作。2006年8月与上海汇合达投资管理有限公司、新加坡吉星蓝光科技有限责任公司共同成立了国内第一家致力于碳化硅晶片研发、生产和销售的公司——北京天科合达蓝光半导体有限公司。这次产品中试成果，标志着碳化硅晶片的国产化进入了一个新阶段。
　　物理所碳化硅产业化工作得到了中科院物质科学基地、科技部863计划和其它国家相关部门的大力支持。