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近期在国内资本市场上，最引人关注的板块概念非第三代半导体莫属。第三代半导体为啥火了？除了一些可能出台的政策助推外，关键在于第三代半导体材料研发为我国半导体产业实现“弯道超车”提供了机遇。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的物理特性更优异，在光电子、电力电子、微波射频等领域将发挥更大作用。随着我国5G等新一代通信技术快速发展，第三代半导体材料应用将驶上快车道。

谈到第三代半导体，扬杰科技近年来在相关领域取得了一定成绩。作为半导体产业集设计、制造和销售于一体的集成电路系统集成服务商（IDM），江苏扬州扬杰电子科技股份有限公司多年位列中国功率半导体公司前列，该公司各类电力电子器件芯片、功率二极管等广泛应用于5G、电力电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。尤其在第三代半导体材料氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等中高端功率芯片、器件领域，扬杰科技联合北京大学、电子科技大学等高校，取得重大技术突破，填补了同类产品在国内的空白。

今年4月份，扬杰科技功率半导体器件及集成电路封装测试项目主体工程在扬州开工，该项目总投资30亿元，通过建设高水平智能终端用超薄微功率半导体芯片封测基地，实现高端功率半导体自主生产。

扬杰科技总经理刘从宁介绍，为加快关键核心技术攻关，扬杰科技近3年累计研发投入2.73亿元，实现了从芯片制造到器件IDM垂直整合，目前已拥有各类授权专利273件，发明专利46件。