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　　6月18日～20日，应哈尔滨工业大学深圳研究生院材料科学与工程学科部张化宇教授的邀请，俄罗斯圣彼得堡国立电子技术大学微电子系泰洛夫·尤里(Tairov/Yury)教授来院讲学，并与我院就科研和学生培养等方面达成了初步的合作意向。在此期间，泰洛夫·尤里还为我院师生作了“The growth and application of large-sized SiC crystal”（大尺寸碳化硅晶体的生长及其应用研究）的精彩学术讲座。讲座由张化宇教授主持，材料学科部的相关师生聆听了讲座。
　　碳化硅晶体作为第三代半导体新型材料，由于其优异的物理和化学等性能，在微电子和光电子器件领域得到广泛应用，被视为一种关键的战略材料。在本次讲座中，泰洛夫·尤里教授首先简要地介绍了圣彼得堡国立电子技术大学校况及其相关院系科研水平，着重阐述了其碳化硅晶体科研团队在大尺寸碳化硅晶体的制备系统设计及制造、生长工艺探索及其应用研究等方面近五十年的研究历程，展示了其最新的相关研究成果；最后针对碳化硅晶体生长及其应用领域未来的发展方向，进行了展望。
　　讲座引起了与会师生的浓厚兴趣。在讲座结束后，师生们就有关自己感兴趣的学术问题同泰洛夫·尤里教授进行了广泛、深入的探讨和交流。
　　
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　　尤里·泰洛夫教授简介：
　　尤里·泰洛夫 科学博士/教授
　　圣彼得堡国立电子技术大学微电子系主任
　　圣彼得堡国立电子技术大学宽带隙半导体实验室主任
　　俄罗斯联邦荣誉科学家
　　俄罗斯微电子专业教育委员会主席
　　主要研究成果简介：
　　以尤里·泰洛夫教授为首的研发小组，针对碳化硅晶体的生长，于1978年发明了独有的物理气相传输法（PVT）法。该方法经过长期不断的完善，也是目前制备大尺寸碳化硅晶体的最佳方法。该科研小组已掌握用于生长直径为4～5英寸SiC晶体专用设备的设计及制造技术，并已成功研制出直径为4英寸以上的大尺寸SiC晶体，相关技术水平处于国际领先地位。
　　尤里·泰洛夫教授作为碳化硅晶体生长领域的知名专家，在国内外高水平期刊发表论文近百篇，相关工作受到包括美国、瑞典、德国和法国等国际学术和产业界的广泛重视和研发资助。