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       近日，瑞典林雪平大学（LiU）的一个研究团队利用碳化硅衬底，在石墨烯表面上介入缺陷，从而增大了材料存储电荷的容量。研究结果发表在期刊Electrochimica Acta上。
       石墨烯作为最薄的材料物质，由单层碳原子构成，其网状结构的厚度仅有一个原子的厚度，且属性独特。石墨烯的强度是钢的200多倍，且柔性极好。透明度高且针对气体和液体的防渗性好。此外，石墨烯还是优良的电导体。在诸多纳米材料的研究和应用中，石墨烯都是炙手可热的宠儿。
       “石墨烯的属性虽然颇具吸引力，但其研究则较为困难”，瑞典林雪平大学物理化学生物系和科技部的首席研究工程师Mikhail Vagin说。对石墨烯属性的理解难点就在于对石墨烯的“各向异性”材料属性的理解。在碳原子层的平面和边缘对石墨烯属性进行测量的结果是不同的。由于石墨烯形式的多样化，在原子层面对石墨烯进行研究也是比较困难的。而多边缘片状石墨烯的属性和1平方厘米左右的薄片状石墨烯的属性又有所不同。        工作人员在碳化硅晶体上制备出石墨烯。首先将碳化硅加热至2000℃，表面的硅原子开始向汽相转化，仅剩下碳原子。由于石墨烯层的高品质属性及其固有的惰性，石墨烯不会轻易与周围环境条件发生反应；而一般的应用研究通常采用控制性交互作用的方法使材料与周围环境条件发生反应，如气体分子。为此，LiU团队以可控方式引入表面缺陷并对其发生的现象进行研究，并据此理解石墨烯属性与其结构的相关性。
       首席工程师Mikael Syväjärvi说：碳化硅衬底的石墨烯可以比其它类型的石墨烯制备的面积更大一点；通过有控制地改变其属性，可以定制出特定功能的材料表面，如内置电池的传感器。