摘要 通过在碳化硅的石墨烯的完美表面上引入缺陷,研究人员增加了材料存储电荷的能力。研究人员使用石墨烯制造碳化硅晶体,当碳化硅被加热到2000℃时,表面上的硅原子移动到气相,并且只剩下碳原...
通过在碳化硅的石墨烯的完美表面上引入缺陷,研究人员增加了材料存储电荷的能力。研究人员使用石墨烯制造碳化硅晶体,当碳化硅被加热到2000℃时,表面上的硅原子移动到气相,并且只剩下碳原子。由于石墨烯层的高质量及其先天惰性,石墨烯与其周围环境不容易反应,而应用通常依赖于材料和周围环境之间的控制互动,如气体分子。这个领域的研究人员正在进行的讨论是,是否可能激活平面上的石墨烯或是否需要边缘。 研究人员调查了以受控方式引入表面缺陷时会发生什么,并以这种方式试图更详细地了解石墨烯的性质如何与其结构相关。