磨料磨具网

       SiC（碳化硅）领域的中国“领头羊”与美国重量级专家联姻会产生何种化学反应？7月28日，中国天岳晶体材料公司与美国纽约州立大学签约，约定在“代表着世界21世纪技术发展方向”的宽禁带化合物半导体领域合作，从而为“中国经济增长提供更优质的选择”。双方并未透露合作的具体协议。
       据了解，以SiC为代表的宽紧带化合物半导体是当今世界最先进的第三代半导体，用它制作的功率和照明设备可节能50%以上，同时在新能源汽车、高铁、工业领域具有广泛应用。美日欧等发达国家和地区都将其列入清洁能源的国家战略。
       据悉，天岳公司是世界上少数SiC半导体材料生产商，其技术水平达到世界前列；纽约州立大学是目前世界上规模最大的大学，在宽禁带化合物半导体领域的研究居于世界前列，其长期与美国各大SiC公司合作的积累可为双方联姻提供经验。