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       摘要：碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。其中，大量用于制作电热元件硅碳棒，并可以用于大功率电子器件制造。

       根据中国机床工业协会磨料磨具专委会碳化硅专家委员会的数据，截至2012年底，全球碳化硅产能达260万吨以上，产能达到1万吨以上的国家有13个，占全球总产能的98%。其中中国碳化硅产能达到220万吨，占全球总产能的84%。整体而言，我国碳化硅冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。

       与此同时，碳化硅是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。如今，我国虽然已在碳化硅生产上取得较大成绩，但是在碳化硅大功率器件开发上一直处于落后地位。

       幸运的是，该不利局面现已得到改变。

       报道指出，中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产，在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出，这一突破有望缓解中国的能源危机。

       有关负责人表示，利用碳化硅单晶衬底和外延材料制作的电力电子器件可以在高电压、大电流、高频率环境下工作，“与传统的硅器件相比，碳化硅电力芯片能够大幅度减少电力设备体积和重量，能大幅降低各项设备系统的整体成本并提高系统的可靠性”。

       数据表明，属于“宽禁带”的第三代半导体的碳化硅，大功率在降低自身功耗的同时，提高系统其他部件的功效，可节能20%至90%。

       中国电器工业协会电力电子分会常务副理事长肖向锋指出，这一成果对于煤炭、石油等资源越发紧缺的中国具有现实意义。

       “为应对能源危机，国家提出节能减排，电能的输送、分配都离不开电力电子技术”，肖向锋解释说，现有的电子技术基于半导体硅材料器件，但受制于硅材料的物理性能，器件功耗大。碳化硅器件的研发、生产无疑可解“燃眉之急”。