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申请号: 201710137433.5
申请日: 2017.03.09
国家/省市: 中国河南(41)
公开号: 106966732A
公开日: 2017.07.21
主分类号: C04B 35/565(2006.01)
分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/65(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
申请人: 平顶山学院
发明人: 韩永军; 黄立军; 李勇
代理人: 潘宏伟
代理机构: 61223
申请人地址: 河南省平顶山市新城区未来路南段平顶山学院

摘要： 本发明公开了一种细粉碳化硅陶瓷的制备方法，属于碳化硅陶瓷制备技术领域。具体的，以晶硅片切割刃料尾料细粉为细粉原料反应烧结碳化硅陶瓷，极大降低了制备成本，原料粉体通过化学法除杂，在混料机内将原料碳化硅细粉、炭黑、分散剂、减水剂和分散介质混合均匀，注浆成型后烘干，最后高温渗硅，制备出性能优异的细化碳化硅陶瓷。本发明提供的制备方法，工艺简单，以成本极低的晶硅片切割刃料尾料细粉为细粉原料反应烧结SiC陶瓷，极大降低了制备成本，所制得的细粉碳化硅陶瓷机械性能好，致密度高，具有比普通SiC陶瓷具有更高的强度和硬度等优异的性能，具有十分广阔的市场空间和良好的经济及社会效益。 

主权利要求
1.一种细粉碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将炭黑、细粉碳化硅、分散剂、减水剂和分散介质混合，得到混合浆料，其中，所述细粉碳化硅为粒径为3.2～3.9微米的晶硅片切割刃料尾料细粉，所述炭黑和所述细粉碳化硅的质量比为1：6～8，所述分散剂和所述细粉碳化硅的质量比为1：120～150，所述减水剂和所述细粉碳化硅的质量比为1：800～1800，所述分散介质和所述细粉碳化硅的质量比为1：20～25；S2：将所述混合浆料注浆成型，得到坯料，将成型后的坯料在75～85℃烘干4～6小时；S3：将烘干后的坯料用由氮化硼、炭黑和硅粉组成的混合粉末进行包埋，之后依次于真空状态下100～300℃干燥2个小时，氮气气氛下350～850℃排胶3个小时，真空状态下升温至1650～1720℃烧结，得到所述细粉碳化硅陶瓷，其中，混合粉末中炭黑、硅粉、氮化硼的质量比为1:50：1000～1250。