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　　申请号：201610442510.3
　　申请人：南京工业大学 南京膜材料产业技术研究院有限公司
　　发明人：仲兆祥 邢卫红 杨怡 韩峰 张峰 徐鹏 范益群

　　摘要：本发明涉及一种低温制备多孔碳化硅(SiC)多孔支撑体的方法。使用十二烷基苯磺酸钠(SDBS)和ZrO2作为烧结助剂，活性炭粉作为造孔剂，碳化硅粉体为骨料混合均匀，通过干压成型得到胚体，经烘箱干燥后，按烧结温度进行烧结，在1150℃左右即制备出碳化硅支撑体。该方法可降低烧结温度，能够节约能耗。本发明制备出来的支撑体具有高强度、高气体渗透性能、优良的化学稳定性，在高温烟气除尘、废水处理等方面具有很广泛的应用前景。

　　主权利要求：1.一种低温制备多孔碳化硅支撑体的方法，其特征在于，制备步骤如下：(1)按一定比例配制混合粉体a，混合粉体a包括：碳化硅骨料、烧结助剂、造孔剂，并将其均匀混合；(2)在混合粉体a中加入用于颗粒粘结的高分子聚合物造粒，使用干压法制备出一定形状尺寸的陶瓷坯体，烘干，得到干燥后的坯体b；(3)将坯体b放入高温电炉中，按照一定的升温程序进行烧结，得到多孔碳化硅支撑体。
　　2.根据权利要求1所述的低温制备多孔碳化硅支撑体的方法，其特征在于，步骤(1)所述混合粉体a中烧结助剂为十二烷基苯磺酸钠和氧化锆，造孔剂为活 性炭粉，步骤(2)所述用于颗粒粘结的高分子聚合物为聚乙烯醇溶液。
　　3.根据权利要求2所述的低温制备多孔碳化硅支撑体的方法，其特征在于，步骤(1)所述的混合粉体a按各成分的质量配比为：氧化锆5-10％，活性炭粉为 0-20％，十二烷基苯磺酸钠为4-8％，剩余的为碳化硅粉料。
　　4.根据权利要求3所述的低温制备多孔碳化硅支撑体的方法，其特征在于，所述碳化硅粉料的平均粒径为50-100μm，氧化锆粉体的平均粒径为2-5μm， 活性炭粉的平均粒径为10-20μm。
　　5.根据权利要求2所述的低温制备多孔碳化硅支撑体的方法，其特征在于，步骤(2)所述的聚乙烯醇溶液添加量为混合粉体质量的1-4％，所述的聚乙烯醇 溶液的质量浓度为5-10％。
　　6.根据权利要求1所述的低温制备多孔碳化硅支撑体的方法，其特征在于，步骤(2)所述的烘干温度为60-90℃，烘干时间为60-90min。
　　7.根据权利要求1所述的低温制备多孔碳化硅支撑体的方法，其特征在于，步骤(3)所述的升温程序为0-100℃时，以1℃/min升温至100℃，保温1-2h， 然后以2-3℃/min升温至500℃，保温1-3h，然后以2-3℃/min升温至900℃， 从900℃开始，以1℃/min的速率升温至1100-1150℃，保温4-6h，之后自然 降温。
　　8.根据权利要求1所述的低温制备多孔碳化硅支撑体的方法，其特征在于，所述的压制支撑体坯体b有平板状或管状。