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       申请号: 201410743574.8
       申请日: 2014.12.08
       国家/省市: 中国上海(31)
       公开号: 104478438A
       公开日: 2015.04.01
       主分类号: C04B 35/565(2006.01)
       分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
       申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所

       发明人: 陈健; 黄政仁; 刘学建; 陈忠明; 姚秀敏; 袁明; 刘岩; 闫永杰; 朱云洲; 刘桂玲; 张辉
       代理人: 曹芳玲 郑优丽
       代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙）(31261)
       申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号

       摘要： 本发明涉及一种低电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法，所述低电阻率碳化硅陶瓷的组成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN的含量1—5wt%，B4C的含量≤1wt%，C的含量为0—3wt%，其余为SiC。

       主权利要求 1.一种低电阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述低电阻率碳化硅陶瓷的组成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN的含量1—5wt%，B4C的含量≤1wt%，C的含量为0—3wt%，其余为SiC。