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       申请号: 201310294766.0        申请日: 2013.07.12        国家/省市: 中国上海(31)
       公开号: 104276823A         公开日: 2015.01.14        主分类号: C04B 35/565(2006.01)
       分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
       申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所

       发明人: 李寅生; 闫永杰; 黄政仁; 刘学建; 陈忠明
       代理人: 曹芳玲 郑优丽
       代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙）(31261)
       申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号

       摘要： 本发明涉及一种高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料包括碳化硅、通过原位反应产生而均匀分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制备中作为烧结助剂的碳化硼和碳，其中按重量计，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量为0.5～10质量%，碳化硼的含量为0.2～2.0质量%，碳的含量为0.5～2.0质量%。本发明提供的高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料通过原位反应引入碳化硼相，且碳含量低，提高了碳化硅陶瓷的绝缘性能，并提高了材料的综合性能。

       主权利要求 1.一种高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料包括碳化硅、通过原位反应产生而均匀分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制备中作为烧结助剂的碳化硼和碳，其中按重量计，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量为0.5～10质量%，碳化硼的含量为0.2～2.0质量%，碳的含量为0.5～2.0质量%