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官方微信摘要 申请号：201210312343.2申请日：2012-08-29摘要：多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备
申请号：201210312343.2 申请日：2012-08-29摘要：多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制得的孔隙率为47.8％的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。
申请人： 哈尔滨工业大学
地址： 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明(设计)人： 叶枫 刘强 侯赵平 刘仕超 张海礁
主分类号： C04B38/06(2006.01)I
分类号： C04B38/06(2006.01)I C04B35/565(2006.01)I C04B35/622(2006.01)I
豫公网安备41010202002334号