摘要:本发明涉及一种纳米碳化硅的制备方法,属于纳米材料技术领域。将纳米二氧化硅和炭质材料混合均匀,然后将混合物压制成片并烧结后作为阴极,以石墨为阳极,将阴极和阳极放入熔融的氯化物熔盐电解质中,在500℃~1000℃温度下,在阴极和阳极之间施加电压进行电解,将阴极制备得到的产物依次经过碱洗、水洗和干燥,最终得到高纯度的纳米SiC。该工艺具有流程短、能耗低,对环境友好等特点。
申请人: 昆明理工大学
地址: 650093 云南省昆明市五华区学府路253号
发明(设计)人: 马文会 谢江生 魏奎先 秦博 伍继君 谢克强 周阳 龙萍 杨斌 戴永年
主分类号: C01B31/36(2006.01)I
分类号: C01B31/36(2006.01)I B82Y30/00(2011.01)I