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官方微信摘要 名称电沉积金-碳化硅复合镀层公开号85100021公开日1986.01.10 主分类号C25D15/00分类号C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02申请号85100...
| 名称 | 电沉积金-碳化硅复合镀层 | ||
| 公开号 | 85100021 | 公开日 | 1986.01.10 |
| 主分类号 | C25D15/00 | 分类号 | C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02 |
| 申请号 | 85100021 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1985.04.01 | |
| 颁证日 | 优先权 | ||
| 申请人 | 天津大学 | 地址 | 天津市南开区七里台 |
| 发明人 | 郭鹤桐; 王兆勇; 邱训高 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 天津大学专利代理事务所 | 代理人 | 张宏祥; 曲远方 |
| 摘要 | 一种用于继电器触点的抗电侵蚀的耐磨复合镀层,是用电镀方法沉积在铜合金或其他金属基体上.复合镀层中弥散有占镀层体积0.1-10%,粒径小于0.5微米的SiC 微粒.这种金基复合镀层具有比纯金高的显微硬度,低的摩擦系数,接触电阻略大于金,但低于金合金,并且耐电侵蚀性、抗腐蚀及抗变色能力强.这种Au-SiC复合镀层可在含有SiC微粒的,氰化物的、酸性的及亚硫酸盐的镀金溶液中获得. | ||
豫公网安备41010202002334号