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       日前，第三届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳举行。与会专家学者认为，第三代半导体未来应用潜力巨大，具备变革性的突破力量，是半导体以及下游电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。

　　2018年，美国、欧盟等持续加大第三代半导体领域研发支持力度，国际厂商积极、务实推进，商业化的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子器件新品不断推出，性能日益提升，应用逐渐广泛。受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等积极因素，国内第三代半导体产业稳步发展。但是，在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距，国产化需求迫切。

　　“无论是从模块安全还是从中国经济发展形势看，第三代半导体都拥有巨大发展空间和良好市场前景，催生了上万亿元的潜在市场。”深圳市科学技术协会党组书记林祥认为，第三代半导体是全球半导体产业技术创新和产业发展热点，为信息、能源、交通模块等战略性新兴产业发展提供了重要支撑。近年来，随着材料、器件、工艺和应用方面一系列技术创新和突破，第三代半导体走到了从研发到产业的拐点上。

　　“只要有用电的地方就会用到半导体。”国家新能源汽车技术创新中心车规半导体业务负责人文宇指出，发展新能源汽车是我国汽车产业转型的必由之路，同时还将构建汽车新的产业生态链。未来，汽车半导体将成为全球半导体市场最大驱动力。其中，碳化硅在新能源汽车领域的应用前景随着技术发展将得到很大的提升。

　　“碳化硅的各种特性都比硅要好，做成器件有高频、高效、高温优势，未来会在白色家电、轨道交通、医疗设备等领域得到广泛应用。”深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍介绍说，相关数据显示，2018年整个碳化硅功率器件的市场容量为5亿美元，未来市场容量年化复合增长率将超过30%。就国内碳化硅发展现状来看，在第三代半导体材料方面一直紧跟国际前沿，可提供衬底和外延产业化。在汽车应用领域设计和制造方面，我国与国际先进水平还有一定差距，有几所大学可以制造器件样品、三四家公司可以量产二极管，但目前只有基本半导体可以量产碳化硅MOSFET，希望铸造碳化硅的中国“芯”。