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　　SiC广泛应用于苛刻环境和极端条件下，尤其对于航空、航天、核能等领域的高性能装备和器件，断裂表面的愈合功能对于这些高性能装备和器件避免灾难性后果具有极其重要的作用。采用TEM原位纳米力学方法，将SiC拉断，关闭电子束，在真空条件下用原位TEM观察到了SiC断裂表面的重新键合和层错的自匹配现象。在断裂的晶体碳化硅表面，发生了部分晶体重结晶和层错的自匹配，愈合后断裂强度为1.7 GPa，恢复到原单晶的12.9%，实现了断裂表面部分愈合。在真空条件下，非晶碳化硅断裂表面发生了原子扩散和部分重结晶，断裂表面愈合后，断裂强度为6.7 GPa，断裂强度恢复到原非晶的67%，实现了非晶断裂表面的大部分愈合。结合分子动力学模拟，发现晶体SiC表面重新键合过程中，原子对的势能降低1.33 eV，这种断裂表面的原子重新键合，使得系统朝着能量最低的方向发展，系统趋于稳定。断裂表面的愈合功能为高性能SiC器件及装备的设计和制造开辟了新的途径。

　　博士生崔俊峰研制了本工作的新的实验装置和新方法，崔俊峰和王博共同发现了SiC断裂表面的愈合功能，姜海越完成了分子动力学模拟。崔俊峰和王博获得了国家奖学金。王博在另一项工作中研制了宏-微-纳一体化金刚石刀具，形成了纳米孪晶化表面制造新方法，揭示了应力诱导损伤与单个纳米孪晶的作用机制，发表于ACS Applied Materials & Interfaces 2017, 9, 29451-29456；王博作为主要参与者研发了单颗磨粒纳米深度超精密磨削新方法，发表于国际机械制造领域的权威期刊CIRP Annals-Manufacturing Technology 2015, 64, 349-352,并获得了辽宁省优秀硕士学位论文。

　　本工作得到国家自然科学基金委员会优秀青年科学基金、创新研究群体项目、教育部首届青年长江学者、大连市杰出青年科技人才、大连理工大学星海杰青、星海青千和辽宁重大装备制造协同创新中心等的联合资助。