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       申请号: 201510323350.6
       申请日: 2015.06.12
       国家/省市: 中国上海(31)
       公开号: 104926309A
       公开日: 2015.09.23
       主分类号: C04B 35/565(2006.01)
       分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
       申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
       发明人: 刘桂玲; 苏碧哲; 黄政仁; 刘学建; 陈忠明; 杨勇; 姚秀敏
       代理人: 曹芳玲 郑优丽
       代理机构: 31261
       申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号

       摘要： 本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷。采用本发明方法制备的碳化硅陶瓷中含有Si、Al、C、O和N元素，均为中子吸收截面小的元素，不含中子吸收截面大的B或稀土元素。

       主权利要求 1.一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷。