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       申请号: 201510256908.3
       申请日: 2015.05.19
       国家/省市: 中国山东(37)
       公开号: 104817325A
       公开日: 2015.08.05
       主分类号: C04B 35/563(2006.01)
       分类号: C04B 35/563(2006.01); C04B 35/65(2006.01)
       申请人: 中国兵器工业第五二研究所烟台分所
       发明人: 曹剑武; 高晓菊; 张丛; 满蓬; 燕东明; 谢威; 周雅伟; 李国斌; 曲俊峰; 李康; 杨双燕; 乔光利; 常永威; 赵斌; 林广庆
       代理人: 刘志毅
       代理机构: 37234
       申请人地址: 山东省烟台市莱山区迎宾路2号附1号

       摘要： 本发明涉及一种反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：(1)混料：分别将重量百分比为80～90％的碳化硼、5～18％的碳粉、1～5％的烧结助剂作为原料放入球磨罐中球磨；(2)成型：将步骤(1)中所得混合料置于模具中，经干压成型获得碳化硼陶瓷素坯；(3)反应烧结：将步骤(2)中所得碳化硼陶瓷素坯放入反应烧结炉中，真空高温烧结浸渗熔融金属硅片，获得反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料。本发明的方法采用的原料及配比科学合理，生产方法安全、成本低，所制成的碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料能够满足核工业乏废料的热中子屏蔽性能要求。

       主权利要求 1.一种反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)混料：分别将重量百分比为80～90％的碳化硼、5～18％的碳粉、1～5％的烧结助剂作为原料放入球磨罐中球磨5～10小时；(2)成型：将步骤(1)中所得混合料置于模具中，经80～120MPa干压成型，获得碳化硼陶瓷素坯；(3)反应烧结：将步骤(2)中所得碳化硼陶瓷素坯放入反应烧结炉中，每100重量份陶瓷素坯中加入1～2重量份的硅片进行真空渗硅反应烧结，获得反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料。