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       申请号: 201510187333.4
       申请日: 2015.04.21
       国家/省市: 中国辽宁(21)
       公开号: 104817089A
       公开日: 2015.08.05
       主分类号: C01B 33/06(2006.01)
       分类号: C01B 33/06(2006.01); C01B 31/36(2006.01)
       申请人: 辽宁科技学院
       发明人: 尤晶; 王耀武
       代理人: 梁焱
       代理机构: 21109
       申请人地址: 辽宁省本溪市高新技术产业开发区香槐路176号

       摘要： 一种回收单/多晶硅切割废料浆中金属硅与碳化硅的方法，按以下步骤进行：（1）将单晶硅或多晶硅切割废料浆过滤或离心分离；（2）将固相烘干后降温；（3）用镁箔或镁片包裹，浸没于熔融镁液中，生成镁硅合金熔体；（4）熔融镁液全部成为镁硅合金熔体时，熔体上方为碳化硅和氧化硅，下方为杂质；（5）将镁硅合金熔体抽取到坩埚中，加入精炼剂进行精炼，然后浇铸；（6）降温至50℃以下；切割分离上层部分，研磨、酸浸、过滤、碱浸，获得碳化硅。本发明的方法工艺过程简单，成本低，可最大程度地实现切割废料中金属硅的回收，实现单晶硅和多晶硅切割废料资源的回收利用。

       主权利要求 1.一种回收单/多晶硅切割废料浆中金属硅与碳化硅的方法，其特征在于按以下步骤进行：（1）将单晶硅或多晶硅切割废料浆过滤或离心分离，获得固相和液相；（2）将固相置于真空度0.1~5Pa和温度80~200℃条件下，烘干0.5~1.5h，然后降温至40℃以下，获得粉状固体物料；（3）在第一坩埚内将镁熔化制成温度为660~950℃的熔融镁液；将粉状固体物料用镁箔或镁片包裹，浸没于熔融镁液中，保持1~20min，使粉状固体物料中的金属硅与镁反应生成镁硅合金熔体，同时碳化硅和氧化硅上浮到熔体表面，杂质下沉到熔体的底部；为防止浮到熔体表面的碳化硅氧化，在熔体表面用氩气气氛保护；（4）当粉状固体物料的用量为全部熔融镁液总重量的50~100%时，停止加入粉状固体物料，此时熔融镁液全部成为镁硅合金熔体，镁硅合金熔体上方为碳化硅和氧化硅，下方为杂质部分；（5）将中间的镁硅合金熔体抽取到第二坩埚中，调节温度在800~950℃，向第二坩埚内的镁硅合金熔体中加入精炼剂，对镁硅合金进行精炼，此过程中保持熔体表面的氩气气氛；精炼结束后浇铸获得镁硅合金铸锭；（6）在熔体表面的氩气气氛条件下，将第一坩埚内的物料降温至50℃以下，使物料凝固；切割分离获得含有碳化硅和氧化硅的上层部分，研磨至粒度为0.05~0.15mm的粉料，然后将粉料用酸浸没，去除其中混入的杂质，再过滤获得固体粉料；将固体粉料置于碱液中浸没1~5h，去除氧化硅，获得纯度≥95%的碳化硅。