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       申请号: 201410746722.1
       申请日: 2014.12.08
       国家/省市: 中国北京(11)
       公开号: 104496480A
       公开日: 2015.04.08
       主分类号: C04B 35/565(2006.01)
       分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01); C04B 41/88(2006.01)
       申请人: 中国建筑材料科学研究总院

       发明人: 刘海林; 黄小婷; 胡传奇; 霍艳丽
       代理人: 王伟锋 刘铁生
       代理机构: 北京鼎佳达知识产权代理事务所（普通合伙）(11348)
       申请人地址: 北京市朝阳区管庄东里1号

       摘要： 本发明公开了一种碳化硅陶瓷预制体、铝基碳化硅陶瓷材料及其制备方法，涉及材料及其制备技术领域，解决了现有制备工艺制备的碳化硅陶瓷预制体的强度低、结构不均一及碳化硅的体积分数低的技术问题。本发明的主要技术方案为：将制备碳化硅陶瓷预制体的原料混合均匀，制得原料料浆；制备碳化硅陶瓷预制体的原料包括碳化硅、分散剂、有机单体及水；将引发剂加入至原料料浆中，混合均匀后得到陶瓷料浆；对陶瓷料浆依次进行真空除气处理、注模成型、脱模干燥，得到陶瓷素坯；将陶瓷素坯在800-1200℃下进行烧结处理，得到碳化硅陶瓷预制体。本发明主要用于制备出高强度、结构均一的碳化硅陶瓷预制体，进而制备出高性能的铝基碳化硅陶瓷材料。

       主权利要求 1.一种碳化硅陶瓷预制体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将制备碳化硅陶瓷预制体的原料混合均匀，制得原料料浆；其中，所述制备碳化硅陶瓷预制体的原料包括碳化硅、分散剂、有机单体及水；所述碳化硅与所述原料料浆的体积比为40-70：100；将引发剂加入至所述原料料浆中，混合均匀后得到陶瓷料浆；其中，所述引发剂与所述原料料浆的质量比为0.5-5：1000；对所述陶瓷料浆依次进行真空除气处理、注模成型、脱模干燥，得到陶瓷素坯；将所述陶瓷素坯在800-1200℃下进行烧结处理，得到碳化硅陶瓷预制体。