摘要 名称碳化硅的制取方法公开号1042522公开日1990.05.30 主分类号C01B31/36分类号C01B31/36申请号88105168.3 分案原申请号申请日1988.11....
名称 | 碳化硅的制取方法 | ||
公开号 | 1042522 | 公开日 | 1990.05.30 |
主分类号 | C01B31/36 | 分类号 | C01B31/36 |
申请号 | 88105168.3 | ||
分案原申请号 | 申请日 | 1988.11.08 | |
颁证日 | 优先权 | ||
申请人 | 东北工学院 | 地址 | 辽宁省沈阳市和平区文化路一段一号 |
发明人 | 冯乃祥; 徐秀芝; 李席梦 | 国际申请 | |
国际公布 | 进入国家日期 | ||
专利代理机构 | 东北工学院专利事务所 | 代理人 | 安宇宏 |
摘要 | 一种制取碳化硅晶体的方法。该方法是将制取碳化硅的反应料置于石墨化炉的保温层内,生产石墨电极时同炉生产碳化硅。应用此方法可使石墨化炉的能源得到充分利用,降低碳化硅的生产成本。提高石墨电极制造厂的经济效益。 |