手机资讯
官方微信摘要 名称用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法公开号1050949公开日1991.04.24主分类号H01L21/205分类号H01L21/205;H01L21/306申请号9010828...
| 名称 | 用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法 | ||
| 公开号 | 1050949 | 公开日 | 1991.04.24 |
| 主分类号 | H01L21/205 | 分类号 | H01L21/205;H01L21/306 |
| 申请号 | 90108281.3 | ||
| 分案原申请号 | 申请日 | 1990.10.11 | |
| 颁证日 | 优先权 | [32]1989.10.13[33]US[31]421375 | |
| 申请人 | 克里研究公司 | 地址 | 美国北卡罗来纳州 |
| 发明人 | 约翰·Ｗ·帕穆尔; 华双·孔; 约翰·Ａ·爱德蒙 | 国际申请 | |
| 国际公布 | 进入国家日期 | ||
| 专利代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 段承恩 |
| 摘要 | 本发明是在一块单晶碳化硅晶体上形成一个基本的平表面的方法，将基本的平表面暴露在腐蚀性等离子体中，直至任何因机械制备该表面而引起的表面或表面下的损伤基本上被消除。然而,腐蚀是有限的，持续时间不超过在表面上等离子腐蚀发展新缺陷或者使现有缺陷恶化所要的时间，同时采用等离子体气体和电极系统，它们本身不会在表面中恶化或者引起显著的缺陷 | ||
豫公网安备41010202002334号